三星积极研发160层及以上的3D NAND闪存

对于3D闪存来说,堆栈层数越多,就能实现更大的容量,带来更高的存储密度,这也是3D闪存的核心竞争力。东芝、三星、SK海力士还美光均计划在2020年大规模量产100层以上的3D NAND闪存。

三星积极研发160层及以上的3D NAND闪存
三星线路图

每家闪存制造商采用不同的技术方案,东芝、西数的BiCS 5代3D闪存是112层,美光、SK海力士是128层,英特尔则是144层浮栅极技术,三星2019年推出的第六代V-NAND闪存也做到136层,是2020年量产的主力;长江存储公司在上周宣布攻克128层3D闪存技术,QLC类型容量做到1.33Tb容量,创造三个世界第一。

国产闪存突飞猛进,三星在积极开发160堆栈的3D闪存。160层及以上的3D闪存是136层之后的产品,将成为第七代V-NAND闪存的基础。三星目前尚未公布160层的3D闪存的详细技术信息。

韩媒报道称,三星可能会大幅改进制造工艺,从现在的单堆栈(single-stack)升级到双堆栈(double-stack),以便制造更高层数的3D闪存。

考虑到三星占据了NAND闪存行业超过1/3的市场份额,160层以上堆栈的闪存应该会由三星首发,继续保持闪存技术上的优势,拉开与对手的差距。

三星积极研发160层及以上的3D NAND闪存
三星固态硬盘

另外,三星的160层闪存还不是最高的,SK海力士在年宣布正在研发176层堆栈的4D闪存,但考虑到SK海力士闪存结构甚至命名都跟其他厂商有所不同,单看层数的意义并不大。

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