三星率先为DRAM芯片导入EUV:明年将用于DDR5/LPDDR5大规模量产

当前在芯片制造中最先进的EUV(极紫外光刻)工艺被三星率先用到了DRAM内存颗粒的生产中。

这家韩国巨头今日宣布,已经出货100万第一代10nm EUV级(D1x)DDR4 DRAM模组,并完成全球客户评估,这为今后高端PC、手机、企业级服务器等应用领域开启新大门。

得益于EUV技术,可以在精度更高的光刻中减少多次图案化的重复步骤,并进一步提升产能。

三星表示,将从第四代10nm级(D1a)DRAM或高端级14nm级DRAM开始全面导入EUV,明年基于D1a大规模量产DDR5和LPDDR5内存芯片,预计会使12英寸晶圆的生产率翻番。

不过,目前支持DDR5的PC平台尚未亮相,LPDDR5倒是已经逐渐铺开。三星量产的第一代EUV DDR5 DRAM单芯片容量为16Gb(2GB),地点是平泽市的V2线。

根据三星此前的预判,EUV将帮助公司至少推进到3nm尺度。

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