美光宣布将出货HBM2动态随机存储器

美光此前的开发重心都放在专有的混合存储多维数据集(HMC)DRAM类型上,但该类型的DRAM并没有获得太多客户的青睐,因此没有获得足够的支持。虽然少数稀有产品使用该类型DRAM,如2015年在富士通PRIMEHPC FX100超级计算机中使用的富士通SPARC64 XIfx CPU。

美光宣布将出货HBM2动态随机存储器

美光宣布将在2018年暂停HMC的工作,并决定致力于GDDR6和HBM的开发。因此他们将会在今年的某个时候发布搭载HBM2 DRAM的产品。美光科技(Micron Technologies)在最新财报中披露了旗下第二代高带宽存储器(HBM2)即将开始出货。由于价格相对高昂,HBM2主要应用于高性能显卡、服务器处理器以及高端处理器中。

美光宣布将出货HBM2动态随机存储器
HBM显存与显卡GPU封装

根据标准,第二代高带宽存储器(HBM2)指定每个堆栈8个裸晶及每针传输速度上至2 GT/s的标准。为保持1024 bit的访问,第二代高带宽存储器得以在每个封装中达到256GB/s的内存带宽及最高8GB容量。业界预测第二代高带宽存储器对极其需要性能的应用程序,如虚拟现实,至关重要。

美光宣布将出货HBM2动态随机存储器

三星半导体早在2016年1月19日就宣布第二代高带宽存储器的进入早期量产阶段,每个堆栈均拥有8GB的内存;SK海力士随即宣布在2016年8月发布4GB版本的内存。

虽然美光有点姗姗来迟,但是随着美光即将出货HBM2显存,存储器市场将再次形成三雄鼎立的局面。

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